今年4月，美光与美国商务部签署了一份不具约束力的初步条款备忘录（PMT），将根据《芯片法案》提供约61.4亿美元的直接拨款，另外还有75亿美元的贷款，以提高美国在尖端存储半导体生产方面的竞争力。

美光宣布，美国商务部已根据《芯片法案》为其商业半导体制造项目提供61.65亿美元的直接拨款达成了协议。这部分资金将用于奖励美光在2022年10月宣布的计划，包括20年内向纽约克莱工厂投资约1000亿美元，以及向爱达荷州投资250亿美元，计划到2035年将美国先进存储器制造业的比例从不到2%提高到10%左右。预计这些项目将在美国创造约2万个就业岗位，另外美光还计划2030年之前投入约500亿美元，专注于开发更先进的存储半导体技术。

此外，美国商务部已经与美国签署了一份条款初稿，将额外提供2.75亿美元资金，用于扩建美国位于弗吉尼亚州马纳萨斯的工厂。这项20亿美元的投资，旨在将美光的1-alpha技术带回美国。1-alpha技术于2021年推出，用于最新的LPDDR5 DRAM芯片。

美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示：“作为唯一一家总部位于美国的内存制造商，美光具有独特的优势，可以将领先的内存制造业带回美国，加强美国的技术领先地位，并促进先进技术的创新。”